LEVEL 2

- 积分
- 5
- 金币
- 238 枚
- 威望
- 0 点
- 金镑
- 0 个
- 银币
- 20 枚
- 舍利
- 0 枚
- 注册时间
- 2021-3-13
- 最后登录
- 2025-3-7
|
1楼
大 中
小 发表于 2021-3-13 22:08 只看该作者
三星分享3mm GAE MBCFET芯片制造细节
三星电子和台积电都计划开发3nm工艺技术。据外媒报道,三星在IEEE国际固态电路会议上分享了即将推出的3mm GAE MBCFET芯片制造细节。

GAAFET晶体管在结构上有两种形式,是目前FinFET的升级版。三星表示传统的GAAFET工艺用三层纳米线构建晶体管,栅极相对较薄;而三星MBCFET工艺使用纳米片来构建晶体管,已为MBCFET注册了商标。三星表示,两种方法都可以达到3nm,但要看具体设计。
|